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MCL产品规格：
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参数
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100mm
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125mm
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150mm
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200mm
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生长方法
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直拉
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直拉
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直拉
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直拉
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掺杂剂
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P，P+；硼
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P，P+；硼
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P，P+；硼
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P，P+；硼
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N，N+；磷，锑，砷
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N，N+；磷，锑，砷
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N，N+；磷，锑，砷
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N，N+；磷，砷
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晶向
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1-0-0
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1-0-0
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1-0-0
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1-1-1
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1-1-1
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1-1-1
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1-0-0
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1-1-0
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1-1-0
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1-1-0
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电阻率
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P型：0.001-300
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P型：0.001-300
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P型：0.001-300
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P型：0.001-300
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N型：磷 0.0007-100
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N型：磷 0.0007-100
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N型：磷 0.0007-100
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N型：磷 0.0007-100
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锑 0.006-0.02
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锑 0.006-0.02
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锑 0.006-0.02
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砷 0.001-0.01
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砷 0.001-0.01
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砷 0.001-0.01
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砷 0.001-0.01
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氧含量
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6-18ppm(New ASTM)
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6-18ppm(New ASTM)
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6-18ppm(New ASTM)
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6-18ppm(New ASTM)
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碳含量
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0.5ppma Max
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0.5ppma Max
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0.5ppma Max
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0.5ppma Max
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体金属含量
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5*1010个/cm3 Max
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5*1010个/cm3 Max
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5*1010个/cm3 Max
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5*1010个/cm3 Max
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表面金属含量
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5*1010个/cm2 Max
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5*1010个/cm2 Max
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5*1010个/cm2 Max
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5*1010个/cm2 Max
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位错
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无
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无
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无
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无
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总平整度
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2.0 Microns Max
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2.0 Microns Max
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2.0 Microns Max
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2.0 Microns Max
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总厚度变化
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3.0 Microns Max
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3.0 Microns Max
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3.0 Microns Max
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3.0 Microns Max
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局部平整度(15*15 100%)
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1.0 Microns Max
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1.0 Microns Max
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1.0 Microns Max
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0.4 Microns Max(25*25 100%)
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翘曲度
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30 Microns Max
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30 Microns Max
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30 Microns Max
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50 Microns Max
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弯曲度
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30 Microns Max
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30 Microns Max
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30 Microns Max
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50 Microns Max
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厚度
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目标值+/-15Microns
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目标值+/-15Microns
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目标值+/-15Microns
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目标值+/-15Microns
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正面粒子数
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0.3Microns 10Max/Wafer
0.2Microns 18Max/Wafer
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0.3Microns 10Max/Wafer
0.2Microns 18Max/Wafer
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0.3Microns 10Max/Wafer
0.2Microns 18Max/Wafer
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0.2Microns 18Max/Wafer
0.16Microns 35Max/Wafer
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硅片正面
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抛光面
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抛光面
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抛光面
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抛光面
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硅片背面
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BSD/Poly/SiO2/Etched
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BSD/Poly/SiO2/Etched
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BSD/Poly/SiO2/Etched
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BSD/Poly/SiO2/Etched
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激光刻字
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硬/软激光标记
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硬/软激光标记
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硬/软激光标记
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硬/软激光标记
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MCL具有强大的加工能力和工艺技术保障，可以根据客户的需求或特定规格提供满足顾客需求的产品和服务。