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技术参数 

 

参数 100mm/125mm/150mm/200mm
生长方法 CZ
掺杂剂 P,P+;Boron
  N,N+;Phos.,Sb,As
晶向 1-0-0
  1-1-1
  1-1-0
电阻率 P:0.001-300
  N:Phos. 0.0007-100
  Sb. 0.006-0.02
  As. 0.001-0.01
氧含量 6-18PPMA(New ASTM)
碳含量 0.5PPMA Max
体金属含量 5 * 10 atoms/cm Max
表面金属含量 5 * 10 atoms/cm Max
位错 NONE
总平整度 2.0 Microns Max
总厚度变化 3.0 Microns Max
局部平整度
(15*15 100%)
1.0 Microns Max
翘曲度 30 Microns Max
弯曲度 30 Microns Max
厚度 Target + / - 15Microns
正面粒子数 0.3Microns 10Max/Wafer
  0.2Microns 18Max/Wafer
硅片正面 Polished
硅片背面 BSD/Poly/SiO2/Etched
激光刻字 Hard/Soft laser marking